IT之家 5 月 6 日消息，据台媒《经济日报》今日报道，台积电 (TSMC) 已启动其位于中部科学工业园区的 Fab15A 晶圆厂升级计划。该厂当前的主要工艺为 28/22nm 成熟制程， 初步将升级至 4nm ，以满足 AI / HPC 芯片的持续需求。 Fab15A 现有的成熟制程设备预计将迁移至台积电与欧洲合作伙伴共同建设的 ESMC 德国德累斯顿晶圆厂。ESMC 的主要工艺就包括 28/22nm 平面 CMOS（以及 16/12nm FinFET），计划 2027 年开始初步生产。 从 28/22nm 升级到 4nm 不仅要更换设备也需对无尘室进行调整改造。业内人士预计 Fab15A 工艺升级总共开支将超过 1000 亿新台币 （IT之家注：现汇率约合 216.5 亿元人民币）。 台积电在中部科学工业园区还设有以 7nm 为主的 Fab15B 晶圆厂，而面向尖端制程的 A14 新厂也在建设之中。
IT之家 5 月 4 日消息，据中国台湾地区媒体“联合新闻网”今天报道，目前有传闻称台积电将重返龙潭，建设次世代埃米级晶圆厂， 投资额达 6000 亿新台币（IT之家注：现汇率约合 1299 亿元人民币） 。 据报道，若消息属实，无尘室机电厂商汉唐（UIS）、半导体厂商帆宣（MIC）将从本次扩建中受惠。前者已与台积电合作多年，除了深入参与 2nm 厂房建设外，还投入 CoWoS 先进封装厂建造。 同时，业界普遍看好台积电重启龙潭晶圆厂建设，埃米级制程更加精密，可推动无尘室相关建设需求，助力汉唐基本面持续升温。
IT之家 4 月 27 日消息，据 TrendForce 今天报道，台积电正加速扩张先进制程产能。其中 3nm 工艺月产能将由原本的 15 万片提升至 18 万片， 同比增长超 40% 。 台积电在财报电话会议中提到，为满足 AI 应用强劲需求，公司正增加资本投入以扩展 3nm 产能。 其中台南科学园区 3nm 工厂预计明年上半年进入量产阶段 ；美国亚利桑那第二工厂已完成建设，预计明年下半年开始量产 3nm 晶圆；而熊本第二工厂也将包含 3nm 制程，预计 2028 年量产。 IT之家从报道中了解到，3nm 工艺的主要需求来自 AI 硬件，英伟达、AMD 和汽车厂商的强劲需求正在迅速消耗台积电产能。尽管生产目标已经达成，但可用产能仍不足以满足市场需求。 此外，台积电已于去年年底启动 2nm 量产工作，月产能将在今年年底达到 10 万片。
IT之家 4 月 20 日消息，台媒《电子时报》在本月 17 日的报道中提到，台积电 (TSMC) 的 CoPoS 先进封装目前最快预计 2030 年末量产，相较普遍预计显著延后。 CoPoS 以面板 (Panel) 取代 CoWoS 中的晶圆 (Wafer)，这可实现更大的封装面积，提升生产效率、降低制造成本，然而 也面临着均匀与翘曲等亟待解决的问题 。 IT之家附上报道整理的台积电 CoPoS 时间线：2026Q3 启动研发 → 2027Q3 下达中试线设备订单 → 2028Q2 中试线设备导入 → 2029Q3 下达量产设备订单 → 2030Q1 量产线设备导入 → 2030Q4 首批量产品完工。 此外，报道还指出台积电将在 2027 年显著提升 SoIC 先进封装工艺的产能， 从月均 1 万片迅速提升到月均 5 万片 ，应对英伟达的大额需求，这其中一成将用于光电合封（也称共封装光学，即 CPO）。